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北京同德創業科技有限公司

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模擬靜電場描繪儀技術參數

2021-4-26  閱讀(411)

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【詳細說明】

模擬靜電場描繪儀 型號:GVZ-4

技術參數:
1. GVZ-4型為箱體和電源分離式,單筆測試,內置四種電極
(同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形)。
2.規格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電極印有坐標格規格為1mm. 
4.微晶導電層的均勻性,實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍(直流)為7.00v—13.00V,分辨率為0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓,調節細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬次,膜層電阻阻值變化0.3%,對導電微晶無磨損。 

 

技術參數:
1. GVZ-4型為箱體和電源分離式,單筆測試,內置四種電極
(同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形)。
2.規格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電極印有坐標格規格為1mm. 
4.微晶導電層的均勻性,實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍(直流)為7.00v—13.00V,分辨率為0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓,調節細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬次,膜層電阻阻值變化0.3%,對導電微晶無磨損。  



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